STP28NM60ND

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的性能瓶颈而困扰？当系统需要处理高达600V的电压和23A的连续电流时，选择的不仅仅是元器件，更是整个方案的稳定基石。现在，让我们向您介绍一款能够重新定义高性能功率开关标准的解决方案STP28NM60ND。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其卓越的FDmesh II技术，为您带来前所未有的效率与坚固性。

想象一下，在工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高效开关电源(SMPS)的核心电路中，功率开关器件正承受着严苛的电气应力和热应力。STP28NM60ND正是为此类高压、大电流应用场景而生。其低至150毫欧的导通电阻（在11.5A, 10V条件下），意味着更低的导通损耗，电能得以更高效地传输，而不是浪费在发热上。这不仅直接提升了整机效率，更能帮助您缩小散热器尺寸，优化系统成本与体积。在追求功率密度和可靠性的今天，这样的优势无疑是决定性的。

为何众多领先的设计师在众多选项中青睐于它？答案在于其综合性能的平衡艺术。高达190W的功率耗散能力与150°C的最高结温，赋予了它强大的过载和高温工作耐力，确保系统在恶劣环境下依然稳定运行。同时，优化的栅极电荷（Qg）特性使得开关过程快速而干净，减少了开关损耗，也降低了对驱动电路的要求，让您的设计更简洁、更高效。当您需要稳定可靠的供货与技术支持时，选择与权威的ST一级代理合作，无疑是获得正品保障和全方位服务支持的最佳途径。从性能卓越的芯片到值得信赖的供应链，STP28NM60ND提供的是一整套让您放心的价值方案，助力您的产品在市场中脱颖而出，赢得持久竞争力。

• 型号:STP28NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 23A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:150 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2090 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP28NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。