STP2NK60Z

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而烦恼？现在，一颗强大的功率开关解决方案正静待您的发现STP2NK60Z。这款来自ST意法半导体的SuperMESH系列N沟道MOSFET，以其卓越的600V耐压能力和优化的动态特性，为您开启高效、稳健的电源应用新篇章。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品性能、降低整体能耗、赢得市场竞争力的关键伙伴。

想象一下，在您的开关电源、照明驱动或电机控制电路中，STP2NK60Z正扮演着核心角色。其高达600V的漏源电压，让它在应对市电整流后的高压环境时游刃有余，为反激式转换器、功率因数校正（PFC）等拓扑结构提供了坚实的保障。1.4A的连续漏极电流能力，配合TO-220AB封装带来的出色散热性能，确保它在紧凑的空间内也能稳定输出，轻松驾驭中小功率应用场景。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业控制板上的功率接口，它都能以可靠的开关动作，守护系统的每一次启停。

选择STP2NK60Z，就是选择了一份经过市场验证的卓越品质。其SuperMESH技术精髓在于显著降低了导通电阻，这意味着更低的传导损耗和更高的整体效率。同时，优化的栅极电荷和电容特性，使得开关速度更快，开关损耗更低，让您的电源设计在高频下运行得更加“冷静”。对于寻求稳定供货与技术支持的设计师而言，通过值得信赖的ST芯片代理进行采购，不仅能获得正品保障，还能获取专业的选型支持，让您的产品开发之路更加顺畅。尽管其零件状态显示为停产，但在许多现有设计、备件和维护市场中，它依然是高性价比和可靠性的代名词。让STP2NK60Z成为您经典设计中那颗不可或缺的“心脏”，持续为终端产品注入活力与可靠性。

• 型号:STP2NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 1.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):1.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 欧姆 @ 700mA，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:170 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP2NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。