STP30NM60ND

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？现在，让我们为您介绍一个经过市场验证的卓越解决方案STP30NM60ND。这款来自意法半导体FDmesh II家族的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压能力和高达25A的连续漏极电流，为您的高压、大电流应用场景注入强大而稳定的动力核心。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统整体效率、降低运行成本的关键所在。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器中，每一次快速而精准的开关动作都直接关系到能量的转换效率和系统的长期稳定性。STP30NM60ND凭借其仅为130毫欧的低导通电阻（Rds(on)），能够显著降低导通状态下的功率损耗，这意味着更少的热量产生和更高的能源利用率。其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速开关能力，进一步减少了开关损耗，让您的系统在高效与节能的道路上快人一步。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的品质和出众的性能表现。

当您需要一款能够应对严苛工业环境、提供稳定输出的功率开关时，STP30NM60ND无疑是值得信赖的伙伴。其TO-220AB的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺。高达190W的功率耗散能力，配合150°C的最大结温，赋予了它强大的过载和高温工作潜力，确保系统在复杂工况下依然稳健运行。我们推荐通过官方授权的ST代理渠道进行采购，以确保您获得原装正品和全面的技术支持，让您的创新设计从蓝图到量产一路畅通。

• 型号:STP30NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP30NM60ND的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。