STP31N65M5

在追求极致能效的电力电子世界，您是否还在为开关损耗和系统可靠性而困扰？今天，我们为您带来一个颠覆性的解决方案STP31N65M5。这颗来自ST意法半导体的高性能MOSFET，以其卓越的MDmesh V技术，将650V的耐压能力与仅148毫欧的超低导通电阻完美结合，为您打开了高效能源转换的新大门。想象一下，在电源适配器、工业电机驱动或光伏逆变器的核心电路中，每一次开关都更迅速、更干净，带来的不仅是能耗的显著降低，更是系统整体寿命和稳定性的飞跃式提升。

无论是面对严苛的工业环境，还是追求轻巧便携的消费电子应用，STP31N65M5都能游刃有余。它高达22A的连续漏极电流和150W的强大功率处理能力，让它在服务器电源中保障数据中心的稳定运行，在电动车充电桩中实现快速高效的能量传输，在LED照明驱动中确保光亮持久而节能。其TO-220的经典封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，让您的产品设计在性能和可制造性之间找到最佳平衡点。选择它，意味着为您的产品注入一颗强劲而可靠的“心脏”。

为什么众多领先厂商都信赖并选择STP31N65M5？答案在于它无与伦比的综合价值。极低的栅极电荷（仅45nC）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，直接转化为系统整体效率的提升。高达150°C的结温工作能力，提供了充足的设计余量和在高温环境下稳定运行的信心。这不仅仅是更换一个元件，而是对您产品竞争力的一次战略性升级。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能确保您获得原装正品和充足的货源支持，更能提供专业的技术选型指导和全方位的服务，助您将这颗芯片的潜力发挥到极致，在市场竞争中率先冲线。

• 型号:STP31N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:148 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:816 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP31N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。