STP33N60DM2

当您的电源设计面临效率与可靠性的双重挑战时，是否曾渴望一颗能同时驾驭高电压与低损耗的功率开关？STP33N60DM2正是为此而生。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您提升系统性能、降低整体能耗的关键引擎。基于意法半导体引以为傲的MDmesh DM2技术平台，这颗MOSFET在600V的高压舞台上，将导通电阻成功压制至仅130毫欧，这意味着更少的能量以热量的形式白白流失，更多的功率被高效输送到负载端，直接为您的产品带来更长的运行时间、更低的散热成本以及更紧凑的机械设计空间。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）乃至新能源领域的充电桩和光伏逆变器中，稳定与高效是永恒的追求。STP33N60DM2凭借其高达24A的连续漏极电流承载能力和190W的强大功率耗散能力，能够从容应对这些严苛应用中的峰值电流与突发负载。其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速且干净的开关动作，这不仅减少了开关损耗，提升了整体频率响应，更能有效抑制电磁干扰（EMI），让您的系统轻松通过各类安规认证，在市场竞争中赢得先机。选择它，就是为您的核心动力单元注入了经久耐用的基因。

那么，在众多同类产品中，为何STP33N60DM2能脱颖而出成为您的理想之选？答案在于其卓越的价值平衡。它并非单纯追求某一参数的极致，而是在电压耐受、电流能力、导通损耗和开关性能之间取得了精妙的平衡。这种平衡直接转化为系统级的优势：更低的总体拥有成本、更高的功率密度以及无与伦比的运行可靠性。从原型设计到批量生产，您都可以信赖其一致的性能表现。如需获取深入的技术支持与稳定的供货保障，我们的合作伙伴专业的ST中国代理团队随时待命，为您提供从选型到落地的全方位服务。让STP33N60DM2成为您下一个成功产品的强大心脏，开启能效新时代。

• 型号:STP33N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 24A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1870 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP33N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。