STP33N60DM6

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否还在为功率器件的开关损耗和散热问题而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP33N60DM6。这款来自ST意法半导体的高性能MOSFET，以其MDmesh M6技术的深厚底蕴，重新定义了600V功率开关的性能标杆。它不仅是一颗晶体管，更是您提升系统效率、增强产品竞争力的核心引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源（UPS）或太阳能逆变器等严苛的应用场景中，系统需要承受高电压、大电流的持续考验。STP33N60DM6正是为此而生。其600V的漏源电压和高达25A的连续漏极电流，为您的设计提供了坚实的功率处理基础。更关键的是，其极低的导通电阻（Rds(on)）与优化的栅极电荷（Qg）特性，能显著降低导通损耗和开关损耗，这意味着更低的温升、更高的整体效率，以及更小的散热器需求，让您的系统运行更凉爽、更安静、寿命更长。

选择STP33N60DM6，就是选择了一份来自顶尖半导体技术的保障。其TO-220封装兼顾了优异的功率耗散能力（190W）与便捷的通孔安装方式，简化了生产流程。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）确保了它在各种极端环境下的稳定表现。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，可以通过官方授权的ST代理进行采购，确保产品正宗与供应链的顺畅。让这颗凝聚了MDmesh M6技术精髓的功率开关，成为您下一个成功项目的强大心脏，驱动创新，赢取未来。

• 型号:STP33N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:128毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP33N60DM6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。