STP33N65M2

当您的电源设计面临效率瓶颈和散热挑战时，是否曾渴望一颗能同时兼顾高性能与高可靠性的功率开关解决方案？今天，我们为您带来的STP33N65M2，正是意法半导体MDmesh M2系列中的明星产品，它将用卓越的电气性能重新定义650V应用的可能性。这颗采用先进平面技术的N沟道MOSFET，不仅拥有高达24A的连续漏极电流和650V的漏源击穿电压，更凭借其极低的140毫欧导通电阻，在提升系统整体效率方面表现非凡，让能量转换过程中的每一分损耗都降到最低。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断电系统(UPS)和太阳能逆变器，STP33N65M2都能游刃有余。它专为高开关频率应用优化，41.5nC的低栅极电荷显著降低了开关损耗，让您的系统运行更凉爽、更安静。在紧凑的TO-220封装内，它实现了190W的强大功率处理能力，工作结温高达150°C，确保了在严苛环境下的长期稳定运行。这意味着，选择它，就是为您的产品注入了持久耐用的基因。

为什么众多工程师在关键项目中信赖STP33N65M2？答案在于其背后MDmesh M2技术的深厚积淀。这项技术完美平衡了导通电阻与栅极电荷，打破了传统MOSFET的性能取舍困局。您无需再在效率与开关速度之间艰难权衡，它能同时为您带来更低的传导损耗和更优的动态性能。此外，通过正规的ST授权代理渠道获取，您不仅能确保芯片的原装正品与可靠供应，还能获得完整的技术资料和专业的设计支持，让从选型到量产的每一步都踏实无忧。选择STP33N65M2，不仅是选择了一颗组件，更是选择了一个助力产品成功、赢得市场先机的强大伙伴。

• 型号:STP33N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 24A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:140 毫欧 @ 12A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:41.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1790 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP33N65M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。