STP34N65M5

在追求更高能效和更紧凑设计的今天，您的电源系统是否还在为开关损耗和散热问题所困扰？想象一下，一颗能够同时兼顾高耐压、低导通电阻和卓越开关性能的功率MOSFET，将如何彻底改变您的产品表现。现在，答案就在STP34N65M5。这款来自ST意法半导体MDmesh V家族的明星产品，正是为应对严苛的高压应用挑战而生，它不仅仅是一个组件，更是您提升系统可靠性、降低整体能耗的关键引擎。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是不断进化的电动汽车充电桩和太阳能逆变器，稳定高效的能量转换都是核心诉求。STP34N65M5凭借其650V的漏源电压和28A的连续漏极电流，为这些高压大电流场景提供了坚实的保障。其独特的MDmesh V技术，在芯片层面实现了超低的单位面积导通电阻（Rds(on)），这意味着在相同的电流下，产生的热量更少，系统能效自然显著提升。当您的设备需要在高温环境下持续运行时，它高达150°C的结温（TJ）和190W的功率耗散能力，确保了无与伦比的稳定性和长寿命，让您在设计时充满信心。

选择STP34N65M5，就是选择了一种经过市场验证的卓越解决方案。它极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），大幅降低了开关过程中的损耗，让您的系统开关频率可以更高，从而允许使用更小的磁性元件，实现整体方案的微型化和成本优化。其经典的TO-220封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，极大简化了您的生产流程。当您需要可靠的技术支持和稳定的供货渠道时，可以信赖专业的ST代理伙伴，他们能为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP34N65M5成为您下一代高性能电源设计的核心动力，开启能效与可靠性的新篇章。

• 型号:STP34N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 28A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP34N65M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。