STP35N60DM2

当您的电源设计面临效率瓶颈，或是在追求更小体积与更高功率密度时，是否曾为寻找一颗性能与可靠性兼备的功率开关而困扰？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体MDmesh DM2系列中的明星产品STP35N60DM2。这颗600V、28A的N沟道MOSFET，不仅仅是参数的简单堆砌，它代表着一种设计理念的革新，旨在为您彻底解决高频开关应用中的损耗与散热难题，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、不间断电源(UPS)或高效照明镇流器中，STP35N60DM2正以其卓越的性能稳定运行。其核心价值在于MDmesh DM2专利技术，这项技术通过优化单元结构和垂直掺杂分布，实现了极低的导通电阻（Rds(on)）与出色的开关特性平衡。这意味着在相同的电流和电压条件下，它能显著降低导通损耗和开关损耗，将更多电能高效地传递给负载，而非转化为无谓的热量。对于工程师而言，这直接转化为更简洁的散热设计、更高的系统能效，以及最终产品更长的使用寿命和更强的市场竞争力。

选择STP35N60DM2，就是选择了一份安心与超越。其高达600V的漏源击穿电压提供了充裕的设计余量，确保在电网波动或复杂工况下的绝对可靠性。TO-220封装兼顾了优异的功率耗散能力（210W）与广泛的适用性，让从原型验证到批量生产都顺畅无阻。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）让驱动电路设计更为轻松，进一步提升了整体系统的开关频率和动态响应。无论您是升级现有方案还是开启全新设计，这颗芯片都能成为您提升能效标杆、打造高品质电源系统的坚实基石。如需获取样品或技术支持，我们的专业ST芯片代理团队随时为您服务。

• 型号:STP35N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP35N60DM2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。