STP35NF10

在追求极致效率的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而烦恼？当系统需要在高频切换中保持稳定，同时还要应对高达100V的电压挑战时，选择一颗性能卓越的MOSFET往往成为项目成败的关键。今天，我们向您隆重介绍一款历经市场考验的经典功率器件STP35NF10，它或许正是您寻觅已久的解决方案。

想象一下，在您的电机驱动电路中，电流需要被快速、精准地控制。STP35NF10凭借其N沟道设计和100V的漏源电压承受能力，能够轻松驾驭此类应用。其低至35毫欧的导通电阻（在17.5A，10V条件下），意味着在导通状态下，电能可以更顺畅地通过，转化为有用功，而非令人头疼的热量。这不仅提升了整体能效，更直接减轻了散热系统的负担，让您的产品设计更加紧凑、可靠。无论是工业变频器、不间断电源（UPS），还是高性能的DC-DC转换器，这颗芯片都能以其坚实的性能，成为系统动力核心的可靠守护者。

那么，在众多功率器件中，为何要特别关注STP35NF10呢？首先，它出身名门，来自全球半导体领导者ST意法半导体的STripFET II产品家族，这一系列以其优异的开关性能和坚固性著称。虽然该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计和广泛的应用验证，使其成为许多经典方案和备件替换的优选。其高达40A的连续漏极电流和115W的功率耗散能力，确保了在严苛工况下的持久耐力。对于寻求稳定供应链和可靠技术支持的工程师，通过正规的ST代理商进行询盘与采购，是获取正品保障和后续服务的最佳途径。选择STP35NF10，不仅是选择了一个电子元件，更是选择了一份经过时间淬炼的可靠性与性能承诺，让您的产品在激烈的市场竞争中，拥有一个强劲而稳定的“心脏”。

• 型号:STP35NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 40A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):40A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:35 毫欧 @ 17.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1550 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:115W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP35NF10的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。