STP36N55M5

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定输出、同时兼顾低损耗的功率开关器件而反复权衡？今天，我们将为您介绍一款来自ST意法半导体的经典解决方案STP36N55M5。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是MDmesh V技术家族的杰出代表，专为应对严苛的高压、大电流应用挑战而生。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动或高功率LED照明镇流器的核心电路中，需要一颗能够承受550V高压、持续通过33A电流的“心脏”。这正是STP36N55M5大显身手的舞台。其N沟道设计结合先进的MOSFET技术，确保了快速、干净的开关动作，而低至80毫欧的导通电阻（在16.5A, 10V条件下）意味着更少的导通损耗，直接将电能更高效地传递给负载，让您的系统运行更凉爽，寿命更长久。高达190W的功率耗散能力与150°C的结温，赋予了它卓越的鲁棒性，即使在环境复杂的工业现场也能稳定工作。

选择STP36N55M5，就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能保障。其TO-220封装是业界广泛认可的标准，便于安装和散热处理，大大简化了您的生产与维护流程。虽然该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计和出色的性能指标，使其依然是许多现有项目升级或特定需求备货的优质选择。对于需要稳定供应链和技术支持的客户，通过官方授权的ST代理商进行咨询与采购，是获取正品保障和专业服务的最佳途径。让这颗凝聚了ST尖端Mesh技术的功率器件，成为您提升产品竞争力、赢得市场信赖的坚实基石。

• 型号:STP36N55M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 33A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):33A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 16.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2670 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP36N55M5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。