STP3HNK90Z

当您的电源设计需要在高压环境下保持稳定高效，同时还要控制成本和体积时，您是否曾为寻找一颗可靠的“心脏”而烦恼？现在，答案就在眼前。我们隆重推出意法半导体SuperMESH家族中的明星产品STP3HNK90Z，这颗800V耐压的N沟道MOSFET，正是为应对严苛挑战而生的高性能解决方案。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力、确保系统长期稳定运行的关键伙伴。

想象一下，在开关电源、电机驱动、工业照明或是家用电器中，STP3HNK90Z正以其卓越的性能默默工作。它高达800V的漏源电压（Vdss）意味着它能从容应对电网波动和感性负载带来的高压尖峰，为您的系统筑起一道坚固的安全防线。同时，3A的连续漏极电流和仅4.2欧姆的低导通电阻，确保了在能量转换过程中损耗极低，热量产生更少，这不仅提升了整体能效，也简化了散热设计，让您的产品在性能和可靠性上双双赢得用户信赖。

选择STP3HNK90Z，就是选择了一份经过市场验证的卓越与安心。其采用的SuperMESH技术，是意法半导体引以为傲的工艺结晶，它优化了芯片结构，在相同的硅片面积上实现了更低的导通电阻和更优的开关特性。这意味着您能以更具竞争力的成本，获得媲美更高规格器件的性能。尽管该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的适用性和市场上充足的库存，使其成为许多经典和持续生产项目的理想之选。通过我们值得信赖的ST中国代理，您可以便捷地获取这颗经典芯片，并获得专业的技术支持与供应保障，让您的产品开发之路更加顺畅无忧。

从-55°C到150°C的宽广工作温度范围，赋予了它适应各种恶劣环境的能力；经典的TO-220AB封装则兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺。无论是升级现有设计还是开启新的项目，STP3HNK90Z都能以其强大的参数和稳定的表现，成为您电路中那个最值得托付的功率开关。立即行动，让它为您的下一个成功产品注入强劲动力！

• 型号:STP3HNK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.2 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3HNK90Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。