STP3LN62K3

在追求极致能效与可靠性的功率转换设计中，您是否仍在为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够重新定义中低功率应用标准的卓越解决方案STP3LN62K3。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体SuperMESH3技术家族的杰出代表，专为那些对效率、耐用性和成本控制有着严苛要求的应用而生。凭借高达620V的漏源电压和优化的导通电阻，它为您带来的不仅是参数的提升，更是系统整体性能和稳定性的飞跃。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）辅助电源、LED照明驱动或是家用电器电机控制电路中，STP3LN62K3能够轻松应对高压环境，其出色的快速开关特性显著降低了开关损耗，让您的产品在满负荷运行时依然保持冷静与高效。TO-220的经典封装形式，确保了优异的散热能力和便捷的安装工艺，无论是新设计还是对现有产品的升级替换，它都能无缝融入，成为您提升产品市场竞争力的秘密武器。选择一家可靠的ST授权代理，您不仅能获得正品保障，更能获取专业的技术支持和供应链服务，让您的创新之路畅通无阻。

为何众多工程师在面临选型时会对它青睐有加？答案在于其背后强大的价值逻辑。SuperMESH3技术意味着更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），这直接转化为更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统效率轻松攀上新高。高达150°C的结温工作能力和45W的功率耗散，赋予了它无与伦比的鲁棒性，即使在恶劣的环境下也能稳定运行，极大延长了产品的使用寿命。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、广泛的验证和可能存在的库存优势，使其成为许多经典和长生命周期项目不可多得的可靠选择。选择STP3LN62K3，就是选择了一份经过时间考验的卓越与安心。

• 型号:STP3LN62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 2.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:17 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:386 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3LN62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。