STP3N150

在追求极致能效与可靠性的电力转换领域，您是否正在为高电压、高功率应用中的开关器件选择而烦恼？面对1500V甚至更高的电压平台，传统的解决方案往往在效率、散热和长期稳定性上捉襟见肘。现在，让我们为您介绍一个能够彻底改变游戏规则的强大选择来自ST意法半导体的STP3N150。这颗采用先进PowerMESH技术的N沟道MOSFET，以其高达1500V的漏源电压和2.5A的连续电流能力，为您的高压设计筑起一道坚固而高效的防线。

想象一下，在您的太阳能逆变器中，它如何稳健地处理来自光伏面板的不稳定高压直流电，将其高效转化为可用的交流电；在工业开关电源（SMPS）和UPS不同断电源系统中，它又如何凭借低至9欧姆的导通电阻和出色的开关特性，显著降低导通与开关损耗，从而提升整体能效，让设备运行更凉爽、更持久。无论是电机驱动、电焊机还是各类高要求的功率调节场合，STP3N150都能轻松应对，其TO-220AB的经典封装形式，也确保了优异的散热性能和便捷的安装工艺，大大简化了您的生产流程。

选择STP3N150，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份由顶尖半导体技术带来的安心与价值。它极低的栅极电荷（仅29.3nC）和输入电容，意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统频率可以更高，磁性元件体积得以缩小。高达140W的功率耗散能力和150°C的结温，赋予了它无与伦比的鲁棒性，即使在恶劣环境下也能稳定工作。为了确保您能获得百分百原装正品与完善的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购。立即将STP3N150纳入您的设计，让它成为您下一代高性能、高可靠性电源产品的核心动力，开启能效新纪元！

• 型号:STP3N150
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1500V 2.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:9 欧姆 @ 1.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:939 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3N150的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。