STP3NB100

在追求极致能效与可靠性的电力电子世界，您是否曾为高压开关应用中的性能瓶颈而困扰？当1000V的严苛电压环境遇上对效率和稳定性的双重挑战，选择一颗怎样的功率器件才能让您的设计游刃有余？现在，答案已经揭晓来自ST意法半导体PowerMESH家族的STP3NB100，正是为征服高压领域而生的卓越解决方案。

想象一下，在开关电源、工业电机驱动或是高功率照明镇流器的核心电路中，STP3NB100如同一位沉稳而强健的守护者。它凭借高达1000V的漏源电压耐受能力，轻松应对电网波动和感性负载带来的高压冲击，为您的系统筑起第一道坚固防线。其N沟道设计和优化的10V驱动门限，意味着您可以用更标准、更易得的控制信号来驾驭它，显著简化驱动电路设计，让整体方案成本更具竞争力。更令人心动的是，在导通状态下，它展现出极低的损耗特性，这直接转化为更低的温升和更高的系统整体效率，让您的产品在能效比拼中脱颖而出。

这颗芯片的价值，在众多高要求的场景中熠熠生辉。无论是需要高效可靠进行功率转换的服务器电源和UPS不同断电源，还是在恶劣工业环境中持续运行的电机控制器和焊接设备，STP3NB100都能提供稳定持久的性能输出。其经典的TO-220AB封装，不仅拥有优异的散热能力，确保在高达150°C结温下依然稳定工作，也方便工程师进行安装和测试，加速产品从原型到量产的进程。当您需要可靠的原厂货源与技术支持时，可以随时联系专业的ST代理商，他们能为您提供从选型到供应的全程服务。

那么，为何众多工程师在面临高压、中电流应用选型时，会倾向于选择它？理由清晰而有力。首先，ST意法半导体深厚的工艺底蕴和PowerMESH技术，赋予了它卓越的稳健性与一致性，大幅提升了最终产品的市场口碑和长期可靠性。其次，其平衡的性能参数3A的连续电流能力、优化的栅极电荷和输入电容实现了开关速度与开关损耗的完美平衡，让您在追求频率与效率时无需做出痛苦妥协。最后，选择一款经过市场长期验证的成熟器件，意味着更丰富的应用参考、更可控的开发风险以及更顺畅的生产供应链。虽然该型号已进入停产状态，但在许多存量项目、特定应用或对可靠性有极致要求的领域，它依然是经过时间淬炼的经典之选，其价值历久弥新。

• 型号:STP3NB100
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1000V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1000 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:700 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3NB100的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。