STP3NK60Z

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而烦恼？现在，一个成熟的解决方案正静待您的发掘。STP3NK60Z，这颗源自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，以其久经市场验证的卓越性能，持续为工程师们提供着坚实而高效的动力基石。它不仅仅是一个600V耐压、2.4A电流能力的开关器件，更是您优化设计、提升产品竞争力的得力助手。

想象一下，在那些对成本与可靠性有着双重苛求的应用场景中，比如紧凑型开关电源(SMPS)、功率因数校正(PFC)电路、照明镇流器或是电机驱动辅助电源，STP3NK60Z的价值便熠熠生辉。其TO-220AB的经典封装，为散热和坚固的机械连接提供了保障，让您的产品在严苛的工业环境下也能稳定运行。高达150°C的结温工作范围，意味着它拥有更强的环境适应性和更长的使用寿命，有效降低系统故障风险，让终端用户享受持久安心的体验。

选择STP3NK60Z，就是选择了一份经过时间淬炼的安心。虽然它已不适用于全新设计，但这恰恰证明了其在大量成熟、稳定应用中的卓越表现和不可替代性。对于产品迭代、维护升级或追求极致性价比的方案而言，它依然是上佳之选。其3.6欧姆的低导通电阻（在10V驱动下）与仅11.8nC的低栅极电荷，共同致力于降低导通损耗和开关损耗，帮助您的系统实现更高的整体能效。当您需要可靠的原装货源和专业的技术支持时，可以随时联系信赖的ST代理商，他们将是您项目成功的坚实后盾。

总而言之，STP3NK60Z承载着ST在功率半导体领域的深厚积淀，它以稳健的性能参数、出色的可靠性和广泛的应用适应性，持续为各类电力电子设备注入高效、可靠的“芯”动力。在平衡性能、成本与可靠性的天平上，它始终是一个值得您重点考虑的成熟而优秀的选择。

• 型号:STP3NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 2.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 欧姆 @ 1.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:11.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:311 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3NK60Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。