STP3NK80Z

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否曾为高压开关应用中的损耗和散热问题所困扰？现在，答案已经揭晓。意法半导体SuperMESH系列中的明星产品STP3NK80Z，正是为攻克这些挑战而生。它不仅仅是一个MOSFET，更是一个集高性能、高可靠性和卓越价值于一体的能量控制解决方案，旨在让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在您的开关电源、照明镇流器或电机驱动电路中，这颗芯片正发挥着核心作用。其高达800V的漏源击穿电压，为您提供了应对电网波动和感性负载反冲电压的充足余量，让系统运行更加安稳。同时，4.5欧姆的低导通电阻（在1.25A，10V条件下），意味着在导通状态下更低的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。这不仅节省了电费，也简化了散热设计，让您的产品结构更紧凑，寿命更长久。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业设备中的功率转换单元，它都能游刃有余，确保能量高效、精准地传递。

选择STP3NK80Z，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。意法半导体的SuperMESH技术确保了器件在高压下依然拥有出色的开关性能和坚固性。其通孔TO-220AB封装不仅成熟可靠，便于安装和散热，而且广泛的支持体系让采购和生产都毫无后顾之忧。当您需要稳定可靠的货源和专业的技术支持时，遍布全球的ST代理网络随时准备为您服务。从原型设计到批量生产，这颗芯片都能以极具竞争力的成本，为您带来显著的性能提升和可靠性保障，是工程师在高压、中功率应用领域值得信赖的伙伴。

• 型号:STP3NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 2.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):2.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.5 欧姆 @ 1.25A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:19 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:485 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3NK80Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。