STP3NK90Z

当您的电源设计面临高压、高可靠性的严苛挑战时，是否曾为寻找一颗既能承受极端电压冲击，又能保持高效稳定运行的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。来自意法半导体SuperMESH家族的STP3NK90Z，正是为征服900V高压领域而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您系统坚固耐用的基石，其高达900V的漏源击穿电压，为您构筑了应对电网波动和感性负载反冲电压的坚实防线，让您在高压环境中依然能从容不迫，游刃有余。

想象一下，在开关电源（SMPS）的初级侧，尤其是在反激式拓扑结构中，这颗芯片能轻松驾驭高压侧开关的重任。无论是家用电器中的离线式电源、工业设备的辅助电源，还是LED照明驱动，STP3NK90Z都能凭借其优异的性能，确保能量高效、可靠地转换。其TO-220AB封装提供了出色的散热能力，结合90W的功率耗散上限，即便在连续高负荷工作下，也能将温升控制在安全范围内，保障系统长期稳定运行。这意味着更长的产品寿命、更低的故障率，以及最终用户无可挑剔的使用体验。

选择STP3NK90Z，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质承诺。意法半导体的SuperMESH技术，显著优化了导通电阻与栅极电荷的平衡，4.8欧姆的导通电阻（在1.5A, 10V条件下）与仅22.7nC的栅极电荷，共同实现了更低的导通损耗和开关损耗，直接提升了整机效率。其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）让它能适应从寒带到热带的各类严苛环境。当您需要这颗高性能芯片时，可以通过值得信赖的ST代理渠道便捷获取正品支持与技术咨询。它将以其强悍的高压耐受性、出色的能效表现和卓越的可靠性，成为您下一代高性能、高可靠性电源设计中不可或缺的核心动力，助您的产品在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STP3NK90Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.8 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:590 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP3NK90Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。