STP45N10F7

在追求极致能效的电力转换世界中，您是否还在为开关损耗和散热问题而烦恼？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率开关解决方案STP45N10F7。这款来自意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其卓越的性能，正成为工程师们设计高效、可靠电源系统的秘密武器。它不仅是一颗元器件，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键所在。

想象一下，在您的服务器电源、工业电机驱动或高功率DC-DC转换器中，STP45N10F7正以其100V的耐压和高达45A的连续电流处理能力，从容应对各种严苛挑战。其核心搭载的STripFET VII和DeepGATE技术，将导通电阻（Rds(on)）降至惊人的18毫欧，这意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。无论是驱动高扭矩电机，还是在紧凑空间内实现大功率转换，它都能让您的系统运行得更凉爽、更安静、更持久。选择一家可靠的ST芯片代理，是确保您能稳定获得这款高性能器件，并得到专业技术支持的第一步。

为什么越来越多的设计转向STP45N10F7？答案在于它带来的综合价值。极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）意味着更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的开关频率可以更高，从而使用更小的磁性元件，缩小整体方案尺寸。TO-220的经典封装提供了出色的散热能力和便捷的安装方式，而其宽广的-55°C至175°C结温工作范围，则赋予了产品无与伦比的环境适应性和可靠性。从消费类电子到工业自动化，从新能源设备到汽车应用，这颗芯片都能让您的设计脱颖而出，以更少的能量损耗，释放更大的功率潜能。

• 型号:STP45N10F7
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 45A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):45A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:18 毫欧 @ 22.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:25 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1640 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP45N10F7的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。