STP45NF06

在追求更高效率与可靠性的电源管理设计中，您是否曾为寻找一款既能承载大电流又具备出色散热性能的功率开关而烦恼？今天，我们为您带来的STP45NF06，正是意法半导体STripFET II系列中的一颗明星产品，它将用高达38A的连续漏极电流和仅28毫欧的超低导通电阻，彻底改变您对功率MOSFET的认知。这款N沟道MOSFET不仅参数亮眼，其背后代表的稳定性和能效提升，才是真正为您项目注入的强心剂。

想象一下，无论是工业电机驱动中需要频繁启停的瞬间，还是开关电源(SMPS)里要求高效转换的关键节点，甚至是汽车电子中那些对温度与可靠性极为苛刻的应用环境，STP45NF06都能游刃有余。其60V的漏源电压和175°C的最高结温，赋予了它从容应对各种电压尖峰和高温工况的底气。当别的器件在高温下性能衰减时，它依然能保持稳定输出，确保您的系统长时间无故障运行。这正是通过我们专业的ST代理渠道所能获得的、经过市场长期验证的卓越品质。

选择STP45NF06，意味着您选择了一个经过优化的整体解决方案。TO-220AB的经典封装不仅便于安装和散热，其极低的栅极电荷（仅58nC）和输入电容，意味着它更容易被驱动，能显著降低开关损耗，让整个系统的效率再上一个台阶。在竞争激烈的市场里，产品的差异化往往就体现在这些核心器件的选型上。一颗可靠的芯片，是您产品稳定、高效、长寿的基石。让STP45NF06成为您下一个成功设计的强大引擎，与我们携手，将创新的想法转化为领先市场的产品。

• 型号:STP45NF06
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 60V 38A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:60 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):38A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:28 毫欧 @ 19A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:58 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:980 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP45NF06的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。