STP4N80K5

在追求更高能效与可靠性的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当面对800V高压应用时，传统的MOSFET往往在导通损耗、开关速度和热管理之间难以平衡，导致系统效率打折，设计复杂度攀升。现在，这一切有了全新的解决方案让我们向您隆重介绍STP4N80K5，这颗源自ST意法半导体SuperMESH5家族的N沟道功率MOSFET，正是为打破高压应用壁垒而生。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或照明镇流器设计中，一颗器件就能同时承载800V的漏源电压和3A的连续电流，其卓越的2.5欧姆低导通电阻（在10V驱动下）意味着更低的传导损耗，能将更多电能高效地输送给负载，而非转化为令人头疼的热量。其极低的栅极电荷（仅10.5nC）和输入电容，确保了更快的开关速度和更低的驱动损耗，让您的系统在频繁开关中依然保持冷静与高效。无论是工业电机驱动、UPS不同断电源，还是新能源领域的逆变器，STP4N80K5都能游刃有余，提供稳定可靠的高压开关核心。

选择它，不仅仅是选择了一颗参数优秀的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计自信。TO-220的经典封装提供了出色的散热能力和便捷的安装方式，而-55°C至150°C的宽广工作结温范围，则赋予了产品应对严苛环境挑战的强悍底气。其背后是ST意法半导体深厚的工艺积累与质量承诺，确保了每一颗器件都具备卓越的一致性与长期可靠性。当您致力于提升产品能效等级、缩小系统体积或增强市场竞争力时，STP4N80K5就是您值得信赖的伙伴。如需获取技术支援或采购这颗高性能芯片，您可以随时联系专业的ST中国代理，他们将为您提供从选型到量产的全方位服务。让STP4N80K5成为您下一个明星产品的强大心脏，共同开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STP4N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 3A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:10.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:175 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。