STP4NB50

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色开关性能的功率开关器件而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STP4NB50，这颗源自意法半导体PowerMESH家族的N沟道MOSFET，正是为应对此类挑战而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计目标的强大引擎。

想象一下，在开关电源（SMPS）的初级侧，需要一颗能够承受高压、快速切换以提升效率的心脏；在照明领域，无论是HID镇流器还是LED驱动，都渴求稳定可靠的功率控制核心；而在电机控制、工业电源等应用中，对器件的耐用性与热性能更是有着严苛的要求。STP4NB50凭借其500V的高漏源电压和3.8A的连续漏极电流能力，游刃有余地穿梭于这些关键应用场景。其TO-220AB的经典封装，不仅提供了优异的散热路径，确保在高达150°C的结温下稳定工作，功率耗散可达80W，更以其广泛的兼容性，让您的PCB布局与生产装配变得轻松便捷。

选择STP4NB50，意味着您选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。意法半导体的PowerMESH技术，在这颗芯片上得到了完美体现，它实现了极低的导通电阻（典型值）与栅极电荷（Qg）的出色平衡。这意味着更低的导通损耗和更快的开关速度，直接转化为更高的系统整体效率和更小的热设计压力。虽然该型号目前已处于停产状态，但其成熟的设计、经过市场长期验证的可靠性，以及通过ST中国代理等渠道可能获得的库存或替代方案支持，使其依然是许多经典设计升级或特定项目需求的理想选择。它代表了一个时代的性能标杆，是工程师手中经久耐用的可靠工具。

• 型号:STP4NB50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3.8A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.8 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:21 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:400 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4NB50的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。