STP4NB80

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？当面对800V高压应用时，工程师们需要的不仅是一个开关，更是一个兼具坚固耐用与高效节能的解决方案。现在，答案就在眼前STP4NB80，这颗源自意法半导体PowerMESH家族的N沟道MOSFET，正是为突破此类挑战而生。它以其卓越的800V耐压能力和优化的动态特性，为您的电源系统注入强劲而稳定的核心动力，让每一次开关都精准而高效。

想象一下，在工业开关电源、功率因数校正（PFC）电路、电机驱动控制器乃至照明镇流器中，STP4NB80都能大显身手。它高达4A的连续漏极电流和仅3.3欧姆的低导通电阻，意味着在传导过程中能量损耗被大幅降低，系统整体效率得以显著提升。其TO-220AB的经典封装形式，不仅提供了出色的散热能力，确保在高达150°C的结温下稳定工作，也简化了您的PCB布局与装配流程。无论是应对严苛的工业环境，还是追求紧凑的家电设计，它都能轻松融入，成为提升产品竞争力的秘密武器。

选择STP4NB80，就是选择了一份来自全球半导体巨头的品质承诺。意法半导体的PowerMESH技术确保了器件在高压下依然拥有优异的开关性能和可靠性。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和久经考验的性能，使其成为许多经典和特定应用场景中极具性价比的优选。为确保您获得正品货源与可靠的技术支持，我们强烈建议您通过正规的ST授权代理进行采购。这不仅是获得原装芯片的保障，更是为您的项目顺利推进增添了一份安心。让STP4NB80以其强大的性能，助您轻松驾驭高压领域，打造出更高效、更可靠、更具市场吸引力的终端产品。

• 型号:STP4NB80
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.3 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:29 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:920 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4NB80的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。