STP4NK50Z

在追求更高能效和更可靠电源设计的道路上，您是否曾为寻找一款能在高压下稳定工作、同时兼顾出色开关性能的功率开关器件而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。让我们向您隆重介绍STP4NK50Z，这颗源自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道MOSFET，正是为突破此类挑战而生的卓越解决方案。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品竞争力、实现设计抱负的关键赋能者。

想象一下，在开关电源（SMPS）的初级侧，或者在照明镇流器、电机控制等高压应用的核心电路中，稳定与高效是永恒的追求。STP4NK50Z凭借其高达500V的漏源电压（Vdss）和3A的连续漏极电流能力，为您构筑起坚实可靠的第一道防线。其采用的先进SuperMESH技术，意味着更低的导通电阻和更优的开关特性，这直接转化为更低的传导损耗和更高的整体系统效率。当您的设备需要在-55°C至150°C的宽温范围内稳定运行时，它卓越的热性能（Tc下45W功率耗散）和坚固的TO-220AB封装，确保了长期运行的耐久性与信心。

为何在众多选择中，STP4NK50Z能脱颖而出？其核心价值在于在关键参数上取得的精妙平衡。仅2.7欧姆的导通电阻（在1.5A，10V条件下）配合低至12nC的栅极电荷，使得它既能有效减少导通时的能量浪费，又能实现快速、干净的开关动作，从而显著降低开关损耗并减轻驱动电路的负担。这意味着您的系统可以运行得更凉爽、更安静，同时获得更长的使用寿命和更高的可靠性。对于寻求高品质元器件和本地化技术支持的工程师来说，通过值得信赖的ST中国代理进行采购，不仅能确保获得正品保障，还能获得及时的技术服务与供应链支持，让您的项目从设计到量产都一路畅通。

选择STP4NK50Z，就是选择了一份经过市场验证的性能承诺，一份源自ST意法半导体的品质背书。它将帮助您轻松应对高压、中等电流应用的严苛要求，释放您设计的全部潜能，最终打造出在能效、尺寸和成本上都更具优势的终端产品。立即行动，让它成为您下一个成功设计的强大心脏。

• 型号:STP4NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4NK50Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。