STP4NK50ZD

在追求更高能效与更紧凑设计的今天，您的电源方案是否还在为开关损耗和散热问题而妥协？让我们为您介绍一款能够打破瓶颈的卓越选择STP4NK50ZD。这款来自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，以其高达500V的漏源电压和优化的动态特性，为您带来前所未有的性能飞跃。它不仅是一颗晶体管，更是您提升产品竞争力、实现高效可靠运行的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源、照明镇流器或电机驱动电路中，STP4NK50ZD正扮演着核心开关的角色。其低至2.7欧姆的导通电阻（在1.5A, 10V条件下），意味着更低的传导损耗，电能得以更高效地传递，而不是浪费在发热上。同时，极低的栅极电荷（典型值12nC）和输入电容，确保了超快的开关速度，显著降低了开关过程中的能量损耗。这种双管齐下的优化，直接转化为更低的系统温升、更高的整体效率，以及更小的散热器需求，让您的设计在性能与成本之间找到完美平衡点。

选择STP4NK50ZD，就是选择了一份来自顶尖半导体制造商的品质承诺。ST意法半导体的SuperMESH技术久经市场考验，赋予了这款器件卓越的坚固性和可靠性。其TO-220AB封装不仅便于安装和散热，更能承受高达45W的功率耗散和-55°C至150°C的严苛工作温度范围，确保您的产品在各种环境下都能稳定运行。当您需要可靠的货源和技术支持时，专业的ST中国代理将是您坚实的后盾，为您提供从选型到量产的全流程服务。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的性能和在特定应用中的不可替代性，使其依然是许多经典设计和备件替换的明智之选，它代表了一个时代的高标准，等待着为您的关键应用继续贡献力量。

• 型号:STP4NK50ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP4NK50ZD的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。