STP4NK50ZFP

在追求更高能效和更可靠性能的电源设计中，您是否曾为高压开关器件的选择而犹豫？当面对500V的严苛工作环境，需要兼顾高效率、低损耗与出色的热管理时，STP4NK50ZFP的出现，正是为破解这一系列挑战而生。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是意法半导体SuperMESH技术家族的杰出代表，专为那些要求严苛的应用场景注入强劲而稳定的动力核心。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或是电机控制电路中，这颗芯片能够轻松驾驭高压侧开关任务。其500V的漏源电压额定值提供了充足的安全裕度，而3A的连续漏极电流能力确保了在主流功率等级下的稳定输出。更令人印象深刻的是，得益于先进的SuperMESH技术，它在导通电阻与栅极电荷之间取得了精妙的平衡，这意味着更低的传导损耗和开关损耗，直接转化为更高的系统整体效率，让您的终端产品在能效竞赛中脱颖而出。

为何众多工程师在面临关键选型时会倾向于它？答案在于其综合价值。TO-220FP封装不仅提供了通孔安装的坚固性，其改进的散热性能更能帮助系统有效管理热量，确保在-55°C至150°C的宽广结温范围内稳定工作。当您需要可靠、高性能的高压开关解决方案时，选择STP4NK50ZFP就是选择了一份经过验证的品质与性能保障。如果您正在寻找稳定可靠的货源，我们的合作伙伴ST一级代理，将为您提供全面的技术支持与供应服务。它虽然已处于停产状态，但在许多现有设计和备货需求中，其卓越的性价比和可靠性依然使其成为值得考虑的经典之选，助力您的产品在市场中建立持久的性能优势。

• 型号:STP4NK50ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:20W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP4NK50ZFP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。