STP50N60DM6

当您设计的电源系统面临效率瓶颈，或是在追求更高功率密度时感到束手束策，是否曾思考过：一颗优秀的功率开关器件究竟能带来多大的改变？今天，我们为您带来一个能彻底刷新您对600V MOSFET性能认知的解决方案STP50N60DM6。它不仅仅是一个参数表上的组件，更是您实现高效、可靠、紧凑型电源设计的强大引擎。

想象一下，在服务器电源、工业电机驱动、太阳能逆变器或高功率LED照明这些严苛的应用场景中，系统需要持续稳定地处理高电压、大电流。传统的MOSFET往往在开关损耗和导通电阻之间难以两全，导致效率折损和散热难题。而STP50N60DM6的出现，完美地打破了这一僵局。它源自意法半导体引以为傲的MDmesh DM6系列，这项先进技术如同在芯片内部构建了超低阻抗的“高速公路”，让电流能以极低的损耗顺畅通过。其80毫欧的超低导通电阻（Rds(on)），意味着在相同电流下，产生的热量显著减少，让您的系统运行得更“冷静”，寿命更长久。

选择STP50N60DM6，就是选择为您的产品注入强大的竞争力。其高达600V的漏源电压和36A的连续漏极电流，赋予了它应对复杂工况的从容底气。更值得一提的是，其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），能显著降低开关损耗，让高频开关电源设计变得游刃有余，轻松实现更高的功率密度和更小的系统体积。无论您是升级现有产品还是开发新一代平台，这颗芯片都能让您的设计脱颖而出。我们作为值得信赖的ST授权代理，不仅能确保您获得原装正品和稳定的供货支持，更能提供专业的技术服务，助您将这颗高性能芯片的潜力发挥到极致。从概念到量产，让STP50N60DM6成为您可靠的成功伙伴。

• 型号:STP50N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 36A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):36A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:80 毫欧 @ 18A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:55 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2350 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP50N60DM6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。