STP5N105K5

在追求更高能效与更可靠功率转换的今天，您是否正在寻找一款能够轻松驾驭高压环境，同时兼顾出色开关性能与散热表现的功率开关器件？答案或许就藏在STP5N105K5之中。这款来自ST意法半导体的N沟道高压MOSFET，以其高达1050V的漏源电压和3A的连续漏极电流，为您的高压应用筑起一道坚实可靠的防线。它不仅仅是参数的堆砌，更是MDmesh K5系列尖端技术的结晶，旨在为您带来前所未有的效率提升与设计简化。

想象一下，在开关电源（SMPS）的初级侧，尤其是在反激式或正激式拓扑中，STP5N105K5能够从容应对高电压应力，确保系统稳定运行。在功率因数校正（PFC）电路中，它同样能大显身手，帮助您轻松满足严格的能效标准。无论是工业电机驱动中的辅助电源，还是LED照明驱动、家用电器中的功率模块，这颗芯片都能凭借其卓越的耐压能力和低栅极电荷（Qg仅12.5nC），显著降低开关损耗，提升整体系统效率，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

选择STP5N105K5，就是选择了一份安心与高效。其3.5欧姆的低导通电阻（在1.5A，10V条件下），意味着更低的传导损耗和更少的热量产生。TO-220封装提供了优异的散热路径，结合高达85W的功率耗散能力，确保了器件在-55°C至150°C的宽温范围内稳定工作，大大延长了产品寿命。对于寻求稳定供货和技术支持的工程师而言，通过官方授权的ST代理商进行采购，不仅能获得原装正品保障，还能获取及时的技术服务，让您的项目从设计到量产一路畅通。让STP5N105K5成为您下一个高压、高效设计项目的核心动力，开启能效新纪元。

• 型号:STP5N105K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 1050V 3A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:1050 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.5 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:210 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5N105K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。