STP5N60M2

在追求更高能效的电力转换设计中，您是否曾为平衡性能与成本而苦恼？现在，让我们向您介绍一款能够完美解决这一难题的功率器件STP5N60M2。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其600V的耐压能力和3.7A的连续漏极电流，为您的中小功率应用带来了前所未有的可靠性与效率。它不仅仅是另一个开关管，更是您提升产品竞争力、降低系统总成本的关键一步。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、照明镇流器或电机驱动电路中，STP5N60M2正以其卓越的性能默默工作。它采用了先进的MDmesh II Plus技术，这意味着更低的导通电阻（Rds(on)）和更优的开关特性。在10V驱动电压下，其导通电阻最大值仅为1.4欧姆，配合极低的栅极电荷（Qg），能显著降低开关损耗和驱动需求。这让您的电源设计不仅运行更凉爽、更高效，还能简化驱动电路，让整体方案更加紧凑和经济。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业控制中的功率模块，它都能轻松胜任，确保系统稳定运行在高达150°C的结温下。

选择STP5N60M2，就是选择了一份来自顶级半导体制造商的品质保证。ST意法半导体以其深厚的工业技术积累，确保了每一颗芯片都具备出色的可靠性和一致性。其经典的TO-220封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的通孔安装方式，最大45W的功率耗散能力为您提供了充足的设计余量。更重要的是，通过正规的ST授权代理渠道进行采购，您不仅能获得原装正品保障和完整的技术支持，还能享受到稳定的供货与有竞争力的价格。这不仅仅是选择了一颗芯片，更是为您的项目选择了一个长期、可靠、高效的合作伙伴，助您快速将创新想法转化为市场领先的产品。

• 型号:STP5N60M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 3.7A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.4 欧姆 @ 1.85A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:4.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:165 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5N60M2的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。