STP5NB40

当您的电源设计面临效率瓶颈，或者开关损耗让系统温升难以控制时，您是否渴望一颗兼具高耐压与出色开关性能的功率开关解决方案？答案或许就藏在STP5NB40这颗经典的N沟道MOSFET之中。它不仅仅是一个元件，更是您提升产品能效、确保长期可靠运行的得力伙伴。源自ST意法半导体备受赞誉的PowerMESH技术平台，这颗芯片在400V的漏源电压下，依然能保持优异的导通特性，其低至1.8欧姆的导通电阻（RdsOn）意味着更低的传导损耗，直接将电能更高效地输送给负载，而非浪费在发热上。

想象一下，在开关电源（SMPS）的初级侧，STP5NB40能够从容应对高频开关动作，其优化的栅极电荷（Qg）特性确保了快速的开启与关断，有效降低了开关损耗，让您的电源适配器、LED驱动或工业电源不仅效率更高，工作温度也更低，寿命自然得到延长。在电机驱动、继电器替代等需要快速控制功率通断的场合，它4.7A的连续电流处理能力提供了充足的余量，确保系统在面对冲击电流时稳定如山。即便面对复杂的电磁环境，其坚固的设计也能提供可靠的保障。

选择STP5NB40，就是选择了一份经过市场长期验证的安心。TO-220AB的经典封装形式，为工程师提供了极大的散热设计和安装灵活性，无论是加装散热片还是自然冷却，都能轻松应对高达80W的功率耗散。虽然其零件状态已标注为停产，但在许多成熟、对长期供应和成本有要求的经典设计中，它依然是极具性价比和可靠性的选择。如果您正在寻找稳定可靠的ST产品进行设计或备货，联系一家资深的ST芯片代理至关重要，他们不仅能提供这颗经典器件的库存信息，更能为您整个ST产品选型提供专业支持。让这颗凝聚了ST先进PowerMESH技术的MOSFET，成为您下一个成功产品中沉默而强大的基石。

• 型号:STP5NB40
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 4.7A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:20 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:405 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:80W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NB40的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。