STP5NB60

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款性能与成本完美平衡的高压开关器件而困扰？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案STP5NB60。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其600V的耐压能力和5A的连续电流，在众多应用场景中证明了其卓越的价值。它不仅仅是一个组件，更是您提升系统整体性能、确保长期稳定运行的关键基石。

想象一下，在开关电源的初级侧，需要一颗能够承受高压冲击、同时保持快速响应的开关管；或者在电机驱动电路中，需要一个高效、低损耗的功率开关来精确控制电流。STP5NB60正是为此而生。它采用先进的PowerMESH技术，在高达600V的漏源电压下，依然能保持出色的导通特性，其最大导通电阻低至2欧姆（@2.5A, 10V），这意味着更低的传导损耗和更高的整体效率。无论是工业电源、家用电器中的功率转换单元，还是照明镇流器、辅助电源等应用，它都能游刃有余，将电能高效、可靠地传递到需要的地方。

选择STP5NB60，意味着您选择了一份经过市场验证的安心。其TO-220AB的经典封装，提供了优异的散热能力和便捷的安装方式，最大功率耗散可达100W，结温高达150°C，确保了在严苛环境下的稳定工作。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的存量，使其成为许多经典设计升级或维护的优选。更重要的是，通过正规的ST授权代理渠道，您依然可以获得可靠的原装产品和技术支持，保障您的供应链安全与项目顺利进行。它代表的是一种以稳健性能为核心的设计哲学，让您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的可靠性和成本效益脱颖而出。

• 型号:STP5NB60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:884 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NB60的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。