STP5NK50Z

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否正在寻找一款能够兼顾高耐压与出色开关特性的功率开关解决方案？今天，我们为您带来意法半导体SuperMESH家族的明星产品STP5NK50Z。它不仅仅是一个N沟道MOSFET，更是您提升系统效率、简化设计并确保长期稳定运行的得力伙伴。凭借其卓越的500V高耐压能力和优化的动态特性，它能轻松应对各种严苛的工业与消费类应用环境，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，无论是家用电器中的开关电源、LED照明驱动，还是工业自动化设备中的电机控制与辅助电源，STP5NK50Z都能以其强大的性能游刃有余。其4.4A的连续漏极电流和仅为1.5欧姆的低导通电阻，意味着在传导过程中损耗更低，发热更少，从而直接提升了整机效率并降低了散热需求。其高达70W的功率耗散能力，配合经典的TO-220AB封装，确保了出色的热管理性能和便捷的安装方式，让您的生产组装过程更加顺畅高效。

选择STP5NK50Z，就是选择了一份来自意法半导体的品质承诺与性能保障。其SuperMESH技术专为降低导通损耗和开关损耗而优化，28nC的低栅极电荷使得开关速度更快，驱动更轻松，有助于实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，降低系统整体成本。宽广的-55°C至150°C工作结温范围，赋予了它无与伦比的环境适应性，确保您的设备在极端温度下依然稳定运行。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，我们的ST一级代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全程服务。立即采用STP5NK50Z，为您的下一个设计注入强劲动力与卓越可靠性！

• 型号:STP5NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 4.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 2.2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:28 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NK50Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。