STP5NK65Z

当您需要一款能在严苛环境下稳定运行、同时兼顾成本效益的功率开关解决方案时，您会如何选择？答案或许就隐藏在STP5NK65Z这颗来自ST意法半导体的经典功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您构建高效、可靠电力系统的坚实基石。凭借其高达650V的漏源电压和5A的连续漏极电流能力，它为各种中功率应用提供了强大的心脏，确保您的设计在面对电压波动和负载变化时依然从容不迫。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，无论是反激式还是正激式拓扑，STP5NK65Z都能凭借其SuperMESH技术带来的卓越性能，实现更低的导通损耗和更高的开关效率。在电机驱动领域，无论是家用电器中的风扇、水泵，还是工业控制中的小型电机，它都能提供稳定可靠的开关控制，确保电机平稳启动和运行。对于照明系统，尤其是LED驱动和电子镇流器，其高耐压特性为功率因数校正（PFC）和初级侧开关提供了理想选择，有效提升整体能效和产品寿命。即使在PFC电路、DC-DC转换器或逆变器等对效率和可靠性要求极高的场景中，它也能游刃有余。

选择STP5NK65Z，意味着您选择了一份经过市场长期验证的可靠性与ST意法半导体的卓越技术基因。其1.8欧姆的低导通电阻（在特定条件下）和仅35nC的低栅极电荷，共同为您带来了更低的开关损耗和驱动损耗，直接转化为更低的系统温升和更高的能源利用效率。经典的TO-220封装不仅提供了出色的散热能力，支持高达85W的功率耗散，也使其在安装和维护上极为便利。宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）让它无惧严寒酷暑，适应各种复杂环境。虽然该型号已停产，但其成熟的设计和稳定的性能使其在诸多现有产品和备件市场中依然保有重要价值。如需获取库存或寻找替代方案，专业的ST代理商将是您可靠的合作伙伴，能为您提供精准的物料支持和专业的技术建议。

• 型号:STP5NK65Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:680 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NK65Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。