STP5NK80Z

在追求更高能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用的性能瓶颈而困扰？当800V的电压平台成为工业电源、电机驱动和照明系统的新常态，一颗兼具高耐压、低损耗与卓越热性能的功率MOSFET，正是您突破设计极限的关键。现在，让我们向您隆重介绍意法半导体PowerMESH家族的明星产品STP5NK80Z，它正是为应对这些严苛挑战而生。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，无论是反激式还是正激式拓扑，STP5NK80Z都能凭借其800V的超高漏源击穿电压，从容应对电网波动和感性负载带来的电压尖峰，为系统构筑起坚实的第一道防线。其仅2.4欧姆的低导通电阻（Rds(on)），意味着在导通状态下更小的能量损耗，直接转化为更低的温升和更高的整体效率。这颗芯片卓越的性能，让它同样能游刃有余地服务于电机驱动控制、电子镇流器以及不间断电源（UPS）等应用场景，在频繁开关和高压环境下依然保持稳定输出。

选择STP5NK80Z，您选择的不仅是单一元件，更是一套经过市场验证的高可靠性解决方案。其采用的TO-220AB封装不仅成熟可靠，便于安装和散热，更能承受高达110W的功率耗散，结合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保您的产品即使在最恶劣的环境下也能长效稳定运行。更低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，让驱动电路设计更为轻松，有效降低开关损耗，提升系统频率响应。当您需要将这份高性能转化为实际产品时，遍布全球的授权ST代理商网络将为您提供从样品申请到批量供货的全方位支持，确保您的供应链顺畅无虞。

归根结底，在竞争激烈的市场中，产品的能效与可靠性是赢得客户信赖的核心。STP5NK80Z以其强大的电气性能、出色的热管理和意法半导体的品质背书，为您提供了一颗值得信赖的“功率心脏”。它不仅能帮助您轻松满足日益严格的能效标准，更能显著提升终端产品的市场竞争力与品牌价值。立即体验STP5NK80Z带来的变革力量，让您的下一个设计脱颖而出。

• 型号:STP5NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.3A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.4 欧姆 @ 2.15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:910 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP5NK80Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。