STP60NF10

想象一下，您的下一个电源转换或电机驱动项目，能否在保持高效的同时，将系统体积和发热量再压缩一步？答案就藏在STP60NF10这颗性能卓越的功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品竞争力的关键引擎。凭借意法半导体先进的STripFET II技术，这颗芯片在导通电阻与开关性能之间取得了精妙的平衡，让您的设计从一开始就站在了高起点上。

无论是工业自动化中需要精准控制的伺服驱动器，还是消费电子领域追求高效节能的开关电源，甚至是汽车电子里对可靠性要求严苛的辅助系统，STP60NF10都能游刃有余地担当起功率开关的核心角色。其100V的耐压和高达80A的连续电流处理能力，为各种严苛的负载环境提供了坚实的保障。这意味着，当您在设计一款新的电动工具、UPS不间断电源或大功率LED驱动器时，选择它，就等于为产品的稳定运行上了一道可靠的保险。

为什么众多工程师在众多选项中最终锁定了STP60NF10？因为它的价值超越了纸面参数。极低的导通电阻（典型值远低于23毫欧）直接转化为更低的导通损耗和更少的发热，这不仅提升了整体能效，还简化了散热设计，让您的产品可以做得更紧凑、更安静。同时，优化的栅极电荷特性确保了快速、干净的开关动作，这对于提升开关频率、减小磁性元件体积至关重要。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，选择一家值得信赖的ST一级代理合作伙伴，能让您的项目从研发到量产都畅通无阻。从性能到可靠性，从设计灵活性到供应链保障，STP60NF10为您提供的是一整套高价值的解决方案，助您轻松攻克下一个设计挑战。

• 型号:STP60NF10
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:23 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:104 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4270 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP60NF10的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。