STP6N62K3

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否还在为开关电源的损耗和散热问题而烦恼？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STP6N62K3。它不仅仅是一颗MOSFET，更是意法半导体SuperMESH3技术家族的杰出代表，专为应对严苛的高压、高频应用挑战而生。其620V的漏源电压和5.5A的连续电流能力，为您构建坚固的功率转换核心提供了坚实基础，让系统在面对电压浪涌和负载波动时依然稳如磐石。

想象一下，在您的下一个开关电源（SMPS）、照明镇流器或电机驱动项目中，集成这颗芯片将带来怎样的飞跃。它极低的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的导通损耗，而优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）则确保了超快的开关速度和更低的高频开关损耗。这两者的结合，直接转化为更高的系统整体效率、更低的温升以及更小的散热器需求。无论是用于工业电源、消费类适配器，还是LED驱动，STP6N62K3都能让您的产品在能效竞赛中脱颖而出，同时凭借其高达150°C的结温和90W的功率耗散能力，提供无与伦比的长期运行可靠性。

选择STP6N62K3，就是选择了一份来自全球半导体领袖的技术保障。它采用经典的TO-220AB封装，兼容性强，便于安装和散热管理。其卓越的电气特性，特别是在10V驱动电压下即可实现优异性能，简化了驱动电路设计，让您的开发过程更加高效顺畅。如果您正在寻找一个能同时提升性能、可靠性和成本效益的解决方案，那么这款芯片无疑是您的理想之选。如需获取样品、技术资料或采购支持，请联系我们的ST中国代理，他们将为您提供专业、及时的本土化服务，助您将创新构想快速转化为市场领先的产品。

• 型号:STP6N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 5.5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:34 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:875 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6N62K3的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。