STP6N80K5

当您需要一款能在高压环境下稳定输出、同时兼顾出色能效表现的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就隐藏在STP6N80K5这颗来自意法半导体的卓越功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升系统可靠性、降低整体能耗、并最终赢得市场竞争力的关键伙伴。其高达800V的漏源击穿电压，意味着它能在严苛的电压波动中稳如磐石，为您的设计提供宽裕的安全裕量，让您在设计高压侧开关、离线式电源时充满信心，无需为瞬间的电压尖峰而担忧。

这颗芯片的应用舞台极为广阔。无论是您正在开发的工业级开关电源(SMPS)、LED照明驱动，还是家用电器中的辅助电源或功率因数校正(PFC)电路，STP6N80K5都能完美胜任。它传承了ST引以为傲的SuperMESH5技术，这项技术革命性地优化了单元结构和工艺，使得在保持超低导通电阻的同时，显著降低了栅极电荷和内部电容。这意味着什么？意味着更低的传导损耗和更快的开关速度。在您的电源系统中，这直接转化为更低的发热量、更高的转换效率，以及更紧凑的磁性元件设计可能，最终帮助您的终端产品在能效标准和散热要求日益严苛的市场中脱颖而出。

选择STP6N80K5，就是选择了一份经过市场验证的卓越与可靠。它1.6欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），确保了电流通道的顺畅，最大限度地减少了功率损耗。而其极低的栅极电荷（典型值仅7.5nC）则大大减轻了驱动电路的负担，让您能够使用更简单、成本更优的驱动方案，同时获得干净利落的开关波形，有效抑制电磁干扰(EMI)。从-55°C到150°C的宽广工作结温范围，配合经典的TO-220封装带来的出色散热能力，共同构筑了其在各种环境下的长期稳定运行基石。当您需要稳定可靠的供货和技术支持时，遍布全球的授权ST代理网络随时准备为您服务，确保您的项目从研发到量产一路畅通。让STP6N80K5成为您下一个明星产品的强大心脏，开启高效、可靠的能量转换新篇章。

• 型号:STP6N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 4.5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.6 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:7.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:255 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。