STP6NK50Z

当您需要一款能在高压环境下稳定输出、同时兼顾高效与可靠性的功率开关解决方案时，是否曾为选型而反复权衡？现在，答案变得前所未有的清晰。我们隆重向您介绍STP6NK50Z，这颗来自意法半导体SuperMESH家族的明星功率MOSFET，正是为满足严苛应用需求而生的卓越选择。它不仅仅是一个电子元件，更是您提升产品性能、优化系统效率、赢得市场竞争力的强大引擎。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业控制系统中，一颗功率器件需要承受高达500V的电压冲击，同时流畅地处理数安培的电流。这正是STP6NK50Z大显身手的舞台。其N沟道设计和10V的标准驱动电压，让您的控制电路设计变得简洁而高效。无论是家用电器中的高效电源模块，还是工业设备里需要频繁开关的功率单元，它都能以极低的导通损耗（Rds(on)典型值仅1.2欧姆）和出色的开关特性，确保能量转换过程顺畅无阻，显著减少热量产生，从而提升整个系统的能效与长期可靠性。这意味着更低的运行成本、更小的散热需求和更长的产品寿命，直接为您和您的终端用户创造价值。

选择STP6NK50Z，就是选择了一份经过市场验证的卓越性能与安心保障。它采用经典的TO-220AB封装，不仅便于安装和散热，其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）更能从容应对各种恶劣环境挑战。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、出色的参数表现以及在众多成功案例中积累的口碑，使其依然是许多经典设计或特定需求项目的理想之选。对于寻求稳定供应与专业支持的工程师，通过值得信赖的ST代理商，您依然可以获取高品质的原装产品与全面的技术服务。让这颗集高压耐受、高效开关与坚固耐用于一身的功率芯片，成为您下一个成功设计的坚实基石，驱动创新，赢在未来。

• 型号:STP6NK50Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 5.6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 2.8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24.6 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:690 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:90W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6NK50Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。