STP6NK70Z

当您需要一款能够在高压环境下稳定工作，同时兼顾效率与可靠性的功率开关器件时，您会如何选择？答案或许就藏在STP6NK70Z这颗来自ST意法半导体的卓越产品中。它不仅仅是一个参数表上的型号，更是工程师应对严苛电力转换挑战的得力伙伴。凭借其高达700V的漏源电压和5A的连续漏极电流能力，它为您的设计构筑了一道坚固的防线，让您在面对电压波动和负载冲击时，能够拥有前所未有的从容与自信。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或适配器这些核心应用场景中，效率和热管理往往是决定产品成败的关键。STP6NK70Z正是为此而生。它采用了ST引以为傲的SuperMESH技术，这项技术精髓在于显著降低了导通电阻，在2.5A电流、10V驱动电压下，其Rds(On)最大值仅为1.8欧姆。这意味着更低的传导损耗，更少的热量产生，直接转化为更高的系统效率和更长的产品寿命。当您的设备需要长时间稳定运行时，这颗芯片带来的能效提升和温升控制，将成为您产品在市场上脱颖而出的隐形冠军。

为什么众多资深工程师在面临选型时，会倾向于信赖STP6NK70Z？理由清晰而有力。首先，其优异的动态特性，如较低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），确保了快速且干净的开关动作，这不仅减少了开关损耗，也简化了驱动电路的设计，让您能更轻松地优化整体性能。其次，TO-220AB的经典封装提供了出色的功率耗散能力（最大110W），结合宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），赋予了它应对各种恶劣环境挑战的强悍体质。选择它，就是选择了一份由ST先进工艺和严格品控背书的高可靠性。如果您正在寻找稳定可靠的货源和技术支持，我们的ST授权代理渠道将为您提供从产品到服务的全方位保障，确保您的项目从设计到量产一路畅通。

• 型号:STP6NK70Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 700V 5A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:700 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:47 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:930 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6NK70Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。