STP6NM60N

当您需要一款能在高压环境下稳定工作，同时兼顾高效能与可靠性的功率开关时，您会如何选择？答案或许就藏在STP6NM60N这颗经典的N沟道功率MOSFET之中。它不仅仅是一个电子元件，更是您构建高效、耐用电力系统的坚实基石。源自ST意法半导体备受赞誉的MDmesh II技术平台，它天生就为应对苛刻的开关环境而生，其高达600V的漏源电压和4.6A的连续电流能力，意味着它能从容应对工业电源、电机驱动、照明系统等领域的电压冲击与电流负载，为您带来前所未有的安心感。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）设计中，它如何以极低的导通损耗（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg）实现更快的开关速度和更低的发热，从而提升整机效率；在您的电机控制板或PFC（功率因数校正）电路中，它如何凭借出色的动态特性确保系统响应迅捷、运行平稳。无论是家用电器中的辅助电源，还是工业设备中的功率转换单元，STP6NM60N都能无缝融入，成为提升产品竞争力的隐形功臣。其经典的TO-220AB封装，不仅便于安装和散热，也经过了广泛的市场验证，是成熟设计的可靠之选。

选择STP6NM60N，意味着您选择了一个经过时间考验的性能标杆。它平衡了电压、电流、开关特性与成本，让您在开发高压、中功率应用时，无需在性能与预算之间艰难妥协。虽然该型号已进入停产状态，但其卓越的设计和稳定的存量供应，使其依然是许多经典方案升级或维护的优选。为确保您获得正品货源与可靠的技术支持，我们强烈建议您通过授权的ST一级代理进行采购。让这颗凝聚了ST尖端MDmesh II技术的功率器件，为您的下一个项目注入高效与稳定的核心动力，助您轻松跨越设计挑战，赢得市场先机。

• 型号:STP6NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 4.6A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4.6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:920 毫欧 @ 2.3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:420 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP6NM60N的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。