STP75N20

在追求极致能效的电力电子设计中，您是否曾为功率器件的开关损耗和热管理问题而困扰？今天，我们为您带来一个经久考验的解决方案STP75N20。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其200V的耐压和高达75A的连续漏极电流能力，自问世以来就成为了工业电源、电机驱动和UPS系统等领域的可靠基石。即便在当前的停产状态下，其卓越的性能和广泛的市场存量，依然让它成为许多经典设计升级或维护替换的首选，通过可靠的ST芯片代理渠道，您依然可以轻松获取这颗性能标杆。

想象一下，在您的伺服驱动器或大功率开关电源中，STP75N20正扮演着能量高效转换的核心角色。它采用的STripFET技术，将导通电阻（Rds(on)）在10V驱动下控制在极低的34毫欧，这意味着更小的导通损耗和更低的发热量。当电流高达37A时，它依然能保持冷静高效，直接将电能损耗转化为您的系统效率和成本优势。其坚固的TO-220AB封装，不仅便于安装和散热，更能承受高达190W的功率耗散，确保设备在-55°C到150°C的严苛温度范围内稳定运行，为您的产品可靠性保驾护航。

选择STP75N20，不仅仅是选择了一个参数优秀的MOSFET，更是选择了一份经过无数应用验证的安心。它高达84nC的栅极电荷（Qg）与10V的标准驱动电压完美匹配，让您的驱动电路设计变得简单而高效，有效简化系统复杂度。无论是用于替换老旧设备中的同型号器件以延长产品生命周期，还是在新设计中寻求一个高性价比、高可靠性的功率开关方案，它都能以出色的性能表现，帮助您提升整机效能，降低综合成本。让这颗经典的功率器件，继续为您的创新注入强劲而稳定的动力。

• 型号:STP75N20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 75A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:34 毫欧 @ 37A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP75N20的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。