STP75N3LLH6

当您的电源转换系统需要处理大电流，却受限于空间和散热时，您是否曾为寻找一颗既能“扛得住”又能“省地方”的功率开关而烦恼？现在，答案就在眼前。让我们向您隆重介绍STP75N3LLH6，这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，正是为高效、紧凑的功率设计而生。它不仅仅是一个组件，更是您提升产品性能、赢得市场竞争力的秘密武器。

想象一下，在服务器电源、高效率DC-DC转换器或者电动工具的动力核心中，电流如江河般奔涌。STP75N3LLH6凭借其高达75A的连续漏极电流承载能力和仅5.9毫欧的超低导通电阻，就像为电流开辟了一条宽阔平坦的高速公路，极大降低了导通损耗，让能量传输更顺畅，热量产生更少。这意味着您的设备可以运行得更凉爽、更持久，整体效率显著跃升。其采用的先进STripFET VI和DeepGATE技术，确保了在严苛工况下的稳定性和可靠性，让您在设计高功率密度方案时信心十足。

无论是面对工业电机驱动中频繁的开关动作，还是汽车辅助系统里对空间和重量的严苛要求，STP75N3LLH6都能游刃有余。其优化的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，使得开关速度更快，驱动更轻松，直接帮助您简化驱动电路设计，降低系统整体成本。宽广的-55°C至175°C结温工作范围，让它无惧严寒酷暑，在各种恶劣环境中始终保持卓越表现。经典的TO-220封装提供了出色的散热能力和便捷的安装方式，是经过市场长期验证的可靠选择。

选择STP75N3LLH6，就是选择了一份经过业界验证的卓越与可靠。它为您带来的不仅是参数上的优势，更是产品上市时间、系统可靠性以及最终用户体验的全方位价值提升。当您致力于打造下一款引领市场的功率电子产品时，让这颗强大的“心脏”为您注入澎湃动力。要获取这颗性能利器，或咨询更多高性价比的ST解决方案，欢迎联系我们的ST一级代理团队，我们将为您提供专业的技术支持和供应链保障，助您的创意快速转化为市场成功。

• 型号:STP75N3LLH6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 75A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):75A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:5.9 毫欧 @ 37.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:23.8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2030 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
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