STP75NS04Z

在追求极致效率的电力转换与电机控制领域，您是否还在为开关损耗、散热难题和系统可靠性而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率开关解决方案STP75NS04Z。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其卓越的性能和坚固的可靠性，正成为工程师们构建高效、紧凑、耐用系统的秘密武器。

想象一下，在您的电机驱动器中，开关动作如闪电般迅捷，导通电阻低至惊人的11毫欧，这意味着在高达80A的连续电流下，能量损耗被大幅削减，热量产生显著降低。这不仅直接提升了整体能效，更让散热设计变得前所未有的轻松，系统可以运行得更凉爽、更安静。其高达110W的功率耗散能力和宽广的-55°C至175°C工作结温范围，赋予了它无与伦比的坚固性，无论是应对工业环境的严苛挑战，还是满足消费电子对长期稳定性的要求，都游刃有余。

这种强大的性能，让STP75NS04Z的应用场景极为广泛。从需要大电流、快速响应的服务器电源和通信设备DC-DC转换器，到对效率和可靠性要求极高的电动工具、无人机电调，再到汽车领域的辅助驱动和电池管理系统，它都能成为核心开关元件的不二之选。其经典的TO-220AB封装，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，让您的产品从设计到量产都顺畅无阻。

选择STP75NS04Z，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一份对产品卓越性能的承诺。它基于ST先进的MESH OVERLAY III技术，在导通电阻、开关速度和栅极电荷之间取得了完美平衡，确保您的系统在获得高功率密度的同时，依然保持出色的动态响应和电磁兼容性。当您需要可靠的原厂货源与专业的技术支持时，遍布全球的ST代理商网络随时准备为您服务，确保您的供应链稳定高效，让创新之旅再无后顾之忧。立即采用STP75NS04Z，为您的下一个设计注入强劲动力与非凡可靠性！

• 型号:STP75NS04Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 33V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:33 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:箝位
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1860 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP75NS04Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。