STP78N75F4

在追求极致效率与可靠性的功率转换设计中，您是否曾为开关损耗和散热问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够重新定义性能标准的解决方案STP78N75F4。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，凭借其卓越的DeepGATE和STripFET技术，将导通电阻（RdsOn）降至惊人的11毫欧，这意味着在高达78A的连续电流下，它能将能量损耗降到最低，将宝贵的电能更多地转化为实际输出功率，而非无谓的热量。这不仅提升了整体系统效率，更直接降低了散热设计的复杂度和成本，让您的产品在激烈的市场竞争中，天生就拥有更冷静、更持久的“心脏”。

无论是服务器电源、工业电机驱动，还是高要求的DC-DC转换器和UPS不间断电源系统，STP78N75F4都能游刃有余。其75V的漏源电压和高达150W的功率耗散能力，为应对各种严苛的瞬态冲击和持续高负载运行提供了坚实的保障。在-55°C至175°C的广阔结温范围内稳定工作，确保了从极寒到酷热环境下的卓越可靠性。当您需要构建一个高效、紧凑且坚固的功率模块时，这颗芯片就是您值得信赖的核心开关元件，它能显著提升功率密度，让您的终端设备体积更小、性能更强。

选择STP78N75F4，不仅仅是选择了一颗高性能的MOSFET，更是选择了一种面向未来的设计哲学。它极低的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss），使得开关速度更快，驱动更轻松，进一步优化了高频开关性能。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计、经过市场长期验证的可靠性，以及在全球存量市场中依然可观的供应，使其成为许多经典设计升级或长期维护项目的理想选择。为了确保您能获得正品货源与专业的技术支持，我们强烈建议您通过官方授权的ST芯片代理进行采购。让STP78N75F4成为您下一个成功产品的强大基石，开启高效能源管理的新篇章。

• 型号:STP78N75F4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 78A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):78A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:11 毫欧 @ 39A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:76 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5015 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:150W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP78N75F4的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。