STP7LN80K5

在追求极致能效与可靠性的电力电子设计中，您是否曾为高压开关应用的性能瓶颈而困扰？现在，让我们为您介绍一个改变游戏规则的解决方案STP7LN80K5。这款来自ST意法半导体的N沟道功率MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和5A的连续电流，为您的高压电路注入澎湃而稳定的动力核心。它不仅仅是又一个元器件，更是您提升产品竞争力、实现设计突破的关键钥匙。

想象一下，在工业电源、电机驱动、不间断电源（UPS）或照明镇流器等严苛的应用场景中，STP7LN80K5如何大显身手。它基于ST先进的MDmesh技术平台打造，这项技术专为优化开关性能与传导损耗而生。当您需要处理高压切换时，其低至1.15欧姆的导通电阻（Rds(on)）意味着更少的能量以热量的形式被浪费，直接转化为更高的系统效率和更低的运行温度。这不仅让您的设备运行更“冷静”，也显著延长了整体使用寿命，降低了散热设计的复杂性与成本。

选择STP7LN80K5，就是选择了一份从容与安心。其高达85W的功率耗散能力，配合-55°C至150°C的宽广工作结温范围，确保它能够从容应对各种恶劣环境与突发负载的挑战。TO-220的经典封装形式，兼顾了优异的散热性能和便捷的安装工艺，让您的生产组装流程更加顺畅高效。更重要的是，当您通过值得信赖的ST一级代理进行采购时，您获得的不仅是正品保障和稳定的供货，更有专业的技术支持与供应链服务，为您的项目从研发到量产全程护航。让STP7LN80K5成为您下一个成功设计的坚实基石，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STP7LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.15 欧姆 @ 2.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:270 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:85W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7LN80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。