STP7N80K5

在追求更高能效与更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和系统稳定性而困扰？现在，让我们向您介绍一款能够彻底改变游戏规则的功率器件STP7N80K5。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其800V的卓越耐压和6A的连续电流能力，为您的高压应用筑起坚实屏障。它不仅仅是一个开关，更是您提升产品竞争力、实现能效飞跃的关键引擎。

想象一下，在开关电源、电机驱动或照明镇流器的核心电路中，每一次开关动作都关乎整体效率与寿命。STP7N80K5凭借其先进的SuperMESH5技术，将导通电阻显著降低，在10V驱动电压下，仅需1.2欧姆即可顺畅导通3A电流。这意味着更低的传导损耗，更少的热量产生，让您的设备运行更凉爽、更持久。无论是工业电源的严苛环境，还是消费类电子的紧凑空间，它都能游刃有余，确保系统在-55°C至150°C的宽广温度范围内稳定工作。

选择STP7N80K5，就是选择了一份安心与高效。其极低的栅极电荷（仅13.4nC）和输入电容，大幅降低了开关损耗，让高频开关设计变得轻松自如，直接助力提升电源的整体转换效率。经典的TO-220封装提供了出色的功率耗散能力（高达110W），兼顾了易用性与散热性能。当您需要可靠的原厂供应与技术支援时，我们的ST代理团队随时待命，为您提供从选型到量产的全方位支持。让STP7N80K5成为您下一个成功设计的强大心脏，开启高效、可靠的电能转换新篇章。

• 型号:STP7N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6A TO220
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:13.4 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:360 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7N80K5的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。