STP7NB60

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为开关损耗和热管理问题而困扰？现在，让我们向您介绍一款历经市场验证的功率开关解决方案STP7NB60。这款来自意法半导体PowerMESH家族的N沟道MOSFET，以其600V的耐压能力和7.2A的连续漏极电流，为您构建了一个坚固而高效的能源转换基石。它不仅仅是一个晶体管，更是提升系统整体表现、降低运营成本的关键赋能者。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路或是电机驱动控制板中，STP7NB60正在默默发挥着核心作用。其优异的动态特性，例如仅45nC的低栅极电荷和1.2欧姆的低导通电阻，意味着更快的开关速度和更低的传导损耗。这直接转化为更低的温升和更高的系统效率，无论是用于工业变频器、不间断电源（UPS），还是家用电器中的功率模块，它都能确保您的产品在激烈的市场竞争中，凭借出色的可靠性和能效脱颖而出。选择它，就是为您的产品注入了持久稳定的动力心脏。

为何众多工程师在需要稳健的中高压功率开关时，会持续信赖这款器件？答案在于其背后强大的技术基因与实用价值。TO-220AB的经典封装提供了卓越的散热能力和便捷的安装方式，而高达150°C的结温工作范围，则赋予了系统应对苛刻环境与瞬时过载的额外余量。虽然该型号已进入停产状态，但其成熟的设计和广泛的成功应用案例，使其成为许多经典或长生命周期产品设计的优选。对于库存和供应，您可以完全信赖专业的ST芯片代理，他们能为您提供可靠的支持与备选方案咨询。归根结底，选择STP7NB60，是选择了一份经过时间淬炼的效能承诺，它让复杂的设计变得简单，让性能的追求落到实处，助您将创新构想快速、稳定地转化为市场领先的产品。

• 型号:STP7NB60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7.2A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.2 欧姆 @ 3.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1625 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7NB60的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。