STP7NK40Z

在追求更高能效和更可靠性能的电力电子设计中，您是否曾为寻找一款能在高压环境下稳定工作、同时兼顾出色开关性能的功率器件而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP7NK40Z。这款来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，以其400V的漏源电压和5.4A的连续漏极电流能力，为您的设计注入强劲动力。它不仅仅是参数的堆砌，更是稳定性和效率的承诺，让您的产品在激烈的市场竞争中脱颖而出，赢得用户信赖。

想象一下，在开关电源、电机驱动、照明镇流器或工业控制等关键应用中，STP7NK40Z正默默发挥着核心作用。它采用先进的SuperMESH技术，将低导通电阻（典型值仅1欧姆@2.7A, 10V）与优化的栅极电荷（Qg仅26nC）完美结合。这意味着在频繁开关的电路中，它能显著降低导通损耗和开关损耗，让系统运行更凉爽、更高效，直接帮助您延长终端产品的使用寿命并降低整体能耗。无论是面对严苛的工业环境温度（-55°C至150°C结温），还是需要承受70W的功率耗散，它都展现出令人安心的坚固性。

选择STP7NK40Z，就是选择了一份来自全球半导体领袖的技术保障。其经典的TO-220AB通孔封装，不仅便于安装和散热，也经过了市场的长期验证。更低的Vgs(th)阈值电压（最大4.5V）和高达±30V的栅源电压耐受能力，为您的驱动电路设计提供了充足的余量和灵活性。当您需要可靠的原厂货源与及时的技术支持时，请务必联系官方授权的ST中国代理，他们将确保您获得正品器件和专业的服务，让您的创新之旅畅通无阻。立即采用STP7NK40Z，让它成为您下一个成功产品的强大心脏！

• 型号:STP7NK40Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 400V 5.4A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:400 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1 欧姆 @ 2.7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:26 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:535 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:70W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7NK40Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。