STP7NK80Z

当您设计下一个电源转换系统时，是否曾为在高压、高可靠性要求与系统成本效率之间寻找完美平衡点而困扰？现在，答案来了。我们隆重推出意法半导体SuperMESH家族的明星产品STP7NK80Z。这颗800V耐压、5.2A电流能力的N沟道功率MOSFET，正是为应对严苛应用挑战而生的高性能解决方案。它不仅仅是一个开关器件，更是您提升系统能效、增强可靠性与简化设计复杂度的强大引擎。

想象一下，在您的开关电源（SMPS）、功率因数校正（PFC）电路、照明镇流器或工业电机驱动中，STP7NK80Z正以其卓越的性能稳定运行。其高达800V的漏源击穿电压，为您提供了充足的电压裕度，从容应对电网波动和感性负载关断时产生的电压尖峰，让系统在恶劣环境下依然坚如磐石。得益于先进的SuperMESH技术，它在保持高耐压的同时，实现了优异的导通电阻特性，这意味着更低的传导损耗和更高的整体效率，直接转化为更低的运营成本和更环保的产品。

为什么众多工程师在高压功率开关应用中信赖并选择STP7NK80Z？其核心优势在于卓越的性能与可靠性的完美结合。1.8欧姆的低导通电阻（在10V驱动下），配合仅56nC的低栅极电荷，确保了快速高效的开关动作，既能减少开关损耗，也降低了对驱动电路的要求。125W的强大功率处理能力（在壳温条件下）和宽广的-55°C至150°C结温工作范围，赋予了它应对高功率密度和高温环境的强大底气。经典的TO-220AB封装，不仅散热性能优良，便于安装，也经过了市场的长期验证。如果您正在寻找稳定可靠的供货渠道，我们的合作伙伴专业的ST一级代理，将为您提供从样品到批量生产的全方位支持。选择STP7NK80Z，就是选择了一个经过验证的高性能平台，它能显著缩短您的开发周期，降低系统总成本，并最终让您的终端产品在市场上脱颖而出，赢得客户的持久信赖。

• 型号:STP7NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP7NK80Z的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。