STP7NK80ZFP

在追求更高能效与可靠性的电力转换设计中，您是否曾为高压开关器件的性能瓶颈而困扰？今天，我们为您带来一个卓越的解决方案STP7NK80ZFP。这颗来自ST意法半导体SuperMESH家族的N沟道功率MOSFET，以其800V的卓越耐压能力和5.2A的连续漏极电流，为您的高压应用筑起坚实的性能基石。它不仅仅是一个开关，更是提升系统整体效率、增强稳定性的核心引擎，让您的设计在激烈的市场竞争中脱颖而出。

想象一下，在开关电源（SMPS）的初级侧，STP7NK80ZFP正以其低至1.8欧姆的导通电阻（Rds(on)）和优化的栅极电荷（Qg），高效地执行着能量转换任务，显著降低导通损耗和开关损耗，让电源模块运行得更凉爽、更持久。在照明领域，无论是LED驱动还是电子镇流器，它都能轻松应对高压启动和稳态运行的严苛要求，确保光源稳定、高效地工作。对于工业电机驱动、UPS不间断电源等应用，其高达800V的漏源电压（Vdss）和宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C），提供了强大的过压保护和环境适应性，让设备在复杂工况下依然坚若磐石。

选择STP7NK80ZFP，就是选择了一份由顶尖技术与卓越品质共同背书的价值承诺。ST意法半导体的SuperMESH技术确保了其在高压下依然拥有极低的开关损耗和出色的动态特性。TO-220FP封装不仅提供了优异的散热性能，其通孔安装方式也兼顾了生产便利性与机械强度。当您需要可靠、高性能的功率开关解决方案时，这颗芯片无疑是您的理想之选。我们作为值得信赖的ST一级代理，不仅能为您提供原装正品保障，更能提供专业的技术支持与供应链服务，助您将这颗芯片的强大潜力，快速、稳妥地转化为产品的市场竞争力。

• 型号:STP7NK80ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 5.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):5.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.8 欧姆 @ 2.6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1138 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP7NK80ZFP的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。